Número de Producto del Fabricante:
IPP023NE7N3G
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPP023NE7N3G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventario:
12806621
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ENVIAR
IPP023NE7N3G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
OptiMOS™ 3
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
75 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.3mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.8V @ 273µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
206 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
14400 pF @ 37.5 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
IPP023N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
SP000938080
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPP023NE7N3GXKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
460
NÚMERO DE PIEZA
IPP023NE7N3GXKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
2.96
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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