Número de Producto del Fabricante:
IRL60S216
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRL60S216-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventario:
12806624
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ENVIAR
IRL60S216 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®, StrongIRFET™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
195A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.95mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
255 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
15330 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-3
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
IRL60S216
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
IRL60S216CT
INFINFIRL60S216
SP001573906
2156-IRL60S216
IRL60S216DKR
IRL60S216TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPB019N06L3GATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
7726
NÚMERO DE PIEZA
IPB019N06L3GATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
1.57
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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