Número de Producto del Fabricante:
IPL65R650C6SATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPL65R650C6SATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 6.7A THIN-PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 6.7A (Tc) 56.8W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-2
Inventario:
12803035
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ENVIAR
IPL65R650C6SATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ C6
Estado del producto
Last Time Buy
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6.7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
650mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 210µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
440 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
56.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TSON-8-2
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
IPL65R650
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
SP001163082
2156-IPL65R650C6SATMA1
INFINFIPL65R650C6SATMA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
GC11N65D5
FABRICANTE
Goford Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
GC11N65D5-DG
PRECIO UNITARIO
0.65
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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