Número de Producto del Fabricante:
IPD031N06L3GATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPD031N06L3GATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventario:
71024 Pcs Nuevos Originales En Stock
12803042
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ENVIAR
IPD031N06L3GATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.1mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.2V @ 93µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
79 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
13000 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
167W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IPD031
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
IPD031N06L3G
IPD031N06L3 GTR-DG
IPD031N06L3 GDKR
IPD031N06L3 G-DG
IPD031N06L3GATMA1TR
IPD031N06L3 GCT-DG
IPD031N06L3 G
IPD031N06L3GATMA1DKR
IPD031N06L3GATMA1CT
SP000451076
IPD031N06L3 GCT
IPD031N06L3 GDKR-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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