Número de Producto del Fabricante:
IPI70N04S307AKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPI70N04S307AKSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventario:
12804985
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ENVIAR
IPI70N04S307AKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6.5mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 50µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2700 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
79W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO262-3
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
IPI70N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
IPI70N04S3-07
SP000279551
IPI70N04S3-07-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPI70N04S406AKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
500
NÚMERO DE PIEZA
IPI70N04S406AKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.80
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
BUK7E8R3-40E,127
FABRICANTE
NXP USA Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
1749
NÚMERO DE PIEZA
BUK7E8R3-40E,127-DG
PRECIO UNITARIO
0.41
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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