Número de Producto del Fabricante:
BUK7E8R3-40E,127
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
Número de pieza:
BUK7E8R3-40E,127-DG
Descripción:
75A, 40V, 0.0074OHM, N-CHANNEL M
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 75A (Tc) 96W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventario:
1749 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946171
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
BUK7E8R3-40E,127 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
Bulk
Serie
TrenchMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
75A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
7.4mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1730 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
96W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I2PAK
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
686
Otros nombres
2156-BUK7E8R3-40E,127
NEXNEXBUK7E8R3-40E,127
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
FCPF11N60
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
2SK3615-E
2SK3615 - N-CHANNEL SILICON MOSF
FCP380N60E
MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220-3
