IPD65R660CFDATMA1
Número de Producto del Fabricante:

IPD65R660CFDATMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IPD65R660CFDATMA1-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

Inventario:

12801021
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

IPD65R660CFDATMA1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
660mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 200µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
615 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
62.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IPD65R660

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
IPD65R660CFDATMA1-DG
SP001117748
448-IPD65R660CFDATMA1TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
IXTY4N65X2
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
70
NÚMERO DE PIEZA
IXTY4N65X2-DG
PRECIO UNITARIO
1.07
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IPD65R660CFDATMA2
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
1827
NÚMERO DE PIEZA
IPD65R660CFDATMA2-DG
PRECIO UNITARIO
0.60
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
STD9N60M2
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
1200
NÚMERO DE PIEZA
STD9N60M2-DG
PRECIO UNITARIO
0.43
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
infineon-technologies

IPB08CNE8N G

MOSFET N-CH 85V 95A D2PAK

infineon-technologies

IPP048N04NGXKSA1

MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3

infineon-technologies

IPI052NE7N3 G

MOSFET N-CH 75V 80A TO262-3

infineon-technologies

IPC302N20NFDX1SA1

MOSFET N-CH 200V 1A SAWN ON FOIL