Número de Producto del Fabricante:
IPD65R660CFDATMA2
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPD65R660CFDATMA2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3-313
Descripción Detallada:
N-Channel 700 V 6A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Inventario:
1827 Pcs Nuevos Originales En Stock
13276481
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ENVIAR
IPD65R660CFDATMA2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ CFD2
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
700 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
660mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 200µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
615 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
63W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3-313
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IPD65R660
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
448-IPD65R660CFDATMA2CT
448-IPD65R660CFDATMA2DKR
SP001977050
448-IPD65R660CFDATMA2TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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