Número de Producto del Fabricante:
IPD60N10S4L12ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPD60N10S4L12ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Inventario:
71745 Pcs Nuevos Originales En Stock
12800829
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ENVIAR
IPD60N10S4L12ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
12mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.1V @ 46µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3170 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
94W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3-313
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IPD60N10
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
IPD60N10S4L12ATMA1DKR
SP000866550
IPD60N10S4L12ATMA1TR
IPD60N10S4L12ATMA1-DG
IPD60N10S4L12ATMA1CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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