Número de Producto del Fabricante:
IPB64N25S320ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPB64N25S320ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
Descripción Detallada:
N-Channel 250 V 64A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventario:
2512 Pcs Nuevos Originales En Stock
12800837
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPB64N25S320ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
64A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
20mOhm @ 64A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 270µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
89 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7000 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-3-2
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
IPB64N25
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
IPB64N25S320ATMA1CT
2156-IPB64N25S320ATMA1TR
IPB64N25S320ATMA1TR
IPB64N25S320ATMA1DKR
SP000876596
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IPFH6N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
IPC60R160C6X1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IPI50R250CPXKSA1
MOSFET N-CH 500V 13A TO262-3