IPA65R225C7
Número de Producto del Fabricante:

IPA65R225C7

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IPA65R225C7-DG

Descripción:

IPA65R225 - 650V AND 700V COOLMO
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 29W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-111

Inventario:

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IPA65R225C7 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
225mOhm @ 4.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 240µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
996 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
29W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-3-111
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
IPA65R225C7 Datasheet

Información Adicional

Paquete Estándar
213
Otros nombres
INFINFIPA65R225C7
2156-IPA65R225C7

Clasificación Ambiental y de Exportación

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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