FQI27N25TU
Número de Producto del Fabricante:

FQI27N25TU

Product Overview

Fabricante:

Fairchild Semiconductor

Número de pieza:

FQI27N25TU-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 250 V 25.5A (Tc) 3.13W (Ta), 180W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Inventario:

600 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946754
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

FQI27N25TU Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
QFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
25.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
110mOhm @ 12.75A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2450 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.13W (Ta), 180W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-262 (I2PAK)
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
FQI27N25TU Datasheet

Información Adicional

Paquete Estándar
189
Otros nombres
2156-FQI27N25TU
ONSONSFQI27N25TU

Clasificación Ambiental y de Exportación

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Productos relacionados
stmicroelectronics

STD3NK80ZT4

MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK

fairchild-semiconductor

FDMS8025S

MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN

international-rectifier

AUIRF4104S

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

fairchild-semiconductor

FQI4N80TU

MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK