Número de Producto del Fabricante:
IAUC120N06S5N022ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IAUC120N06S5N022ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET_)40V 60V)
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 170A (Tj) 136W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-34
Inventario:
12991614
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ENVIAR
IAUC120N06S5N022ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™-5
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
170A (Tj)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
7V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.24mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.4V @ 65µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4930 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
136W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TDSON-8-34
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
SP005613156
448-IAUC120N06S5N022ATMA1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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