Número de Producto del Fabricante:
FBG04N30BSH
Product Overview
Fabricante:
EPC Space, LLC
Número de pieza:
FBG04N30BSH-DG
Descripción:
GAN FET HEMT 40V 30A 4FSMD-B
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 30A (Tc) Surface Mount 4-SMD
Inventario:
20 Pcs Nuevos Originales En Stock
12991615
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FBG04N30BSH Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
EPC Space
Embalaje
Bulk
Serie
e-GaN®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
30A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9mOhm @ 30A, 5V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 9mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
11.4 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
+6V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1300 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
-
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
4-SMD
Paquete / Caja
4-SMD, No Lead
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
4107-FBG04N30BSH
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
9A515E1
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
ISC800P06LMATMA1
TRENCH 40<-<100V
FBG10N05ASH
GAN FET HEMT 100V 5A 4FSMD-A
SQS180ENW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
