Número de Producto del Fabricante:
BSZ097N04LSGATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSZ097N04LSGATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSON
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 12A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Inventario:
8312 Pcs Nuevos Originales En Stock
12854217
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ENVIAR
BSZ097N04LSGATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A (Ta), 40A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 14µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1900 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.1W (Ta), 35W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TSDSON-8
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
BSZ097
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
BSZ097N04LS G
BSZ097N04LSGINTR
BSZ097N04LSGATMA1TR
SP000388296
BSZ097N04LSGXT
2156-BSZ097N04LSGATMA1TR
BSZ097N04LSG
BSZ097N04LSGATMA1CT
BSZ097N04LSGINCT
BSZ097N04LSGINTR-DG
BSZ097N04LSGINCT-DG
BSZ097N04LSGATMA1DKR
BSZ097N04LSGINDKR-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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