HAT2256RWS-E

Número de Producto del Fabricante:

HAT2256RWS-E

Product Overview

Fabricante:

Renesas Electronics Corporation

Número de pieza:

HAT2256RWS-E-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 60V 8A 8SOP

Descripción Detallada:

N-Channel 60 V 8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP

Inventario:

Solicitud de Cotización en Línea

12854238

Solicitar Cotización

Cantidad
Mínimo 1

(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas

ENVIAR

HAT2256RWS-E Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Renesas Electronics Corporation

Embalaje

-

Serie

-

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

60 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

8A (Ta)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

30mOhm @ 4A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

2.5V @ 1mA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

10 nC @ 4.5 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1210 pF @ 10 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

2W (Ta)

Temperatura de funcionamiento

150°C

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

8-SOP

Paquete / Caja

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Información Adicional

Paquete Estándar

2,500

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Productos relacionados

NP90N04NUK-S18-AY

MOSFET N-CH 40V 90A TO262

infineon-technologies

IRFZ44ESTRR

MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK

onsemi

MTP10N10ELG

MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB

renesas-electronics-america

N0413N-ZK-E1-AY

MOSFET N-CH 40V 100A TO263