Número de Producto del Fabricante:
BSD816SNL6327HTSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSD816SNL6327HTSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-PO
Inventario:
12799410
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ENVIAR
BSD816SNL6327HTSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.4A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 2.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
160mOhm @ 1.4A, 2.5V
vgs(th) (máx.) @ id
950mV @ 3.7µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
0.6 nC @ 2.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
180 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-SOT363-PO
Paquete / Caja
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
BSD816SN L6327CT
BSD816SN L6327CT-DG
SP000464868
BSD816SNL6327HTSA1CT
BSD816SNL6327HTSA1TR
BSD816SN L6327DKR
BSD816SNL6327HTSA1DKR
BSD816SN L6327DKR-DG
BSD816SN L6327TR-DG
BSD816SNL6327
BSD816SN L6327
BSD816SN L6327-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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