BSC0902NSATMA1

Número de Producto del Fabricante:

BSC0902NSATMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

BSC0902NSATMA1-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON

Descripción Detallada:

N-Channel 30 V 24A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6

Inventario:

8545 Pcs Nuevos Originales En Stock

12799416

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BSC0902NSATMA1 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Infineon Technologies

Embalaje

Tape & Reel (TR)

Serie

OptiMOS™

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

30 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

24A (Ta), 100A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

2.6mOhm @ 30A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

2.2V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

26 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1700 pF @ 15 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

2.5W (Ta), 48W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

PG-TDSON-8-6

Paquete / Caja

8-PowerTDFN

Número de producto base

BSC0902

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

BSC0902NSATMA1-DG

Información Adicional

Paquete Estándar

5,000

Otros nombres

BSC0902NSCT-DG

BSC0902NSATMA1TR

BSC0902NSTR-DG

IFEINFBSC0902NSATMA1

BSC0902NS

BSC0902NSDKR-DG

BSC0902NSCT

SP000800246

BSC0902NSATMA1DKR

BSC0902NSTR

BSC0902NSDKR

BSC0902NSATMA1CT

2156-BSC0902NSATMA1

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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