Número de Producto del Fabricante:
BSC093N15NS5ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSC093N15NS5ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 150V 87A TDSON
Descripción Detallada:
N-Channel 150 V 87A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Inventario:
7592 Pcs Nuevos Originales En Stock
13063958
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
BSC093N15NS5ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
87A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
8V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9.3mOhm @ 44A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.6V @ 107µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
40.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3230 pF @ 75 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
139W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TDSON-8-7
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
BSC093
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
BSC093N15NS5ATMA1-ND
SP001279590
BSC093N15NS5ATMA1CT
BSC093N15NS5ATMA1DKR
BSC093N15NS5ATMA1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IPD10N03LA
MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
BSZ900N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON
IPD60R1K0CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 4.3A TO252-3
