Número de Producto del Fabricante:
BSZ900N15NS3GATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSZ900N15NS3GATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON
Descripción Detallada:
N-Channel 150 V 13A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Inventario:
10222 Pcs Nuevos Originales En Stock
13063964
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ENVIAR
BSZ900N15NS3GATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
OptiMOS™
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
13A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
8V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
90mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 20µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
510 pF @ 75 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
38W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TSDSON-8
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
BSZ900
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
BSZ900N15NS3 GCT-ND
BSZ900N15NS3 G
BSZ900N15NS3 GCT
BSZ900N15NS3GATMA1TR
BSZ900N15NS3 GDKR
BSZ900N15NS3GATMA1DKR
BSZ900N15NS3GATMA1CT
BSZ900N15NS3 GDKR-ND
SP000677866
BSZ900N15NS3 GTR-ND
BSZ900N15NS3 G-ND
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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