Número de Producto del Fabricante:
BSS192PH6327FTSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSS192PH6327FTSA1-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Descripción Detallada:
P-Channel 250 V 190mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89
Inventario:
22508 Pcs Nuevos Originales En Stock
12799425
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ENVIAR
BSS192PH6327FTSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
SIPMOS®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
190mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.8V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
12Ohm @ 190mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 130µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6.1 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
104 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-SOT89
Paquete / Caja
TO-243AA
Número de producto base
BSS192
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
BSS192PH6327FTSA1CT
SP001047642
BSS192PH6327FTSA1TR
BSS192PH6327FTSA1DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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