Número de Producto del Fabricante:
G3R20MT17N
Product Overview
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Número de pieza:
G3R20MT17N-DG
Descripción:
SIC MOSFET N-CH 100A SOT227
Descripción Detallada:
N-Channel 1700 V 100A (Tc) 523W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Inventario:
202 Pcs Nuevos Originales En Stock
12945359
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
G3R20MT17N Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
G3R™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1700 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
15V
rds activados (máx.) @ id, vgs
26mOhm @ 75A, 15V
vgs(th) (máx.) @ id
2.7V @ 15mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
400 nC @ 15 V
Vgs (máx.)
±15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
10187 pF @ 1000 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
523W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-227
Paquete / Caja
SOT-227-4, miniBLOC
Número de producto base
G3R20
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
10
Otros nombres
1242-G3R20MT17N
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SQJ152ELP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 123A PPAK SO-8
AONS18314
MOSFET N-CH 30V 8DFN
SSM6K518NU,LF
MOSFET N-CH 20V 6A 6UDFNB
