Número de Producto del Fabricante:
G3R160MT12J
Product Overview
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Número de pieza:
G3R160MT12J-DG
Descripción:
SIC MOSFET N-CH 19A TO263-7
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 19A (Tc) 128W (Tc) Surface Mount TO-263-7
Inventario:
2358 Pcs Nuevos Originales En Stock
12977960
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ENVIAR
G3R160MT12J Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
G3R™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
19A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
15V
rds activados (máx.) @ id, vgs
208mOhm @ 10A, 15V
vgs(th) (máx.) @ id
2.7V @ 5mA (Typ)
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
23 nC @ 15 V
Vgs (máx.)
+20V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
724 pF @ 800 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
128W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263-7
Paquete / Caja
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Número de producto base
G3R160
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
1242-G3R160MT12J
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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