Número de Producto del Fabricante:
HUF75623P3
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
HUF75623P3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 22A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
4436 Pcs Nuevos Originales En Stock
13076023
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ENVIAR
HUF75623P3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Tube
Serie
UltraFET™
Embalaje
Tube
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
22A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
64mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
52 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
790 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
85W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
579
Otros nombres
FAIFSCHUF75623P3
2156-HUF75623P3-FS
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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