NP80N04NDG-S18-AY
Número de Producto del Fabricante:

NP80N04NDG-S18-AY

Product Overview

Fabricante:

NEC Corporation

Número de pieza:

NP80N04NDG-S18-AY-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 40V 80A TO262
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 1.8W (Ta), 115W (Tc) Through Hole TO-262

Inventario:

1400 Pcs Nuevos Originales En Stock
13076054
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NP80N04NDG-S18-AY Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Tube
Serie
-
Embalaje
Tube
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.8mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6900 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.8W (Ta), 115W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-262
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
NP80N04NDG-S18-AY

Información Adicional

Paquete Estándar
151
Otros nombres
2156-NP80N04NDG-S18-AY-NEC
RENNECNP80N04NDG-S18-AY

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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