Número de Producto del Fabricante:
FQI9N25CTU
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FQI9N25CTU-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 250V 8.8A I2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 250 V 8.8A (Tc) 3.13W (Ta), 74W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventario:
2000 Pcs Nuevos Originales En Stock
13075967
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FQI9N25CTU Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Tube
Serie
QFET®
Embalaje
Tube
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8.8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
430mOhm @ 4.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
710 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.13W (Ta), 74W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-262 (I2PAK)
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
247
Otros nombres
2156-FQI9N25CTU-FS
FAIFSCFQI9N25CTU
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
FQI50N06LTU
MOSFET N-CH 60V 52.4A I2PAK
FDD6688S
MOSFET N-CH 30V 88A DPAK
FDB5645
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
