Número de Producto del Fabricante:
FQB25N33TM-F085
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FQB25N33TM-F085-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 330 V 25A (Tc) 3.1W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
8000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12983095
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FQB25N33TM-F085 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
330 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
25A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
230mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
75 nC @ 15 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2010 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.1W (Ta), 250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
159
Otros nombres
2156-FQB25N33TM-F085
ONSFSCFQB25N33TM-F085
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
Productos relacionados
SSM3K341R,LXHF
AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT23F
RF4L040ATTCR
PCH -60V -4A POWER, DFN2020, MOS
IAUC120N04S6L012ATMA1
IAUC120N04S6L012ATMA1
