Número de Producto del Fabricante:
TK190U65Z,RQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK190U65Z,RQ-DG
Descripción:
DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 15A (Ta) 130W (Tc) Surface Mount TOLL
Inventario:
2159 Pcs Nuevos Originales En Stock
12983450
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
TK190U65Z,RQ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
DTMOSVI
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
15A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
190mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 610µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1370 pF @ 300 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
130W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TOLL
Paquete / Caja
8-PowerSFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
264-TK190U65ZRQTR
TK190U65Z,RQ(S
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
AUIRFZ48Z
MOSFET N-CH 55V 61A TO220
3N163 SOT-143 4L ROHS
P-CHANNEL, SINGLE ENHANCEMENT MO
IQE006NE2LM5CGATMA1
MOSFET N-CH 25V 41A/298A IPAK
