Número de Producto del Fabricante:
FDZ451PZ
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FDZ451PZ-DG
Descripción:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 2.6A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount 4-WLCSP (0.8x0.8)
Inventario:
9571 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946461
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FDZ451PZ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.6A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
140mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
8.8 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
555 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
400mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
4-WLCSP (0.8x0.8)
Paquete / Caja
4-XFBGA, WLCSP
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
5,323
Otros nombres
2156-FDZ451PZ
FAIFSCFDZ451PZ
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
FDU6N25
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
FDMS0346
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
FCPF7N60YDTU
MOSFET N-CH 600V 7A TO220F-3
