FDU6N25
Número de Producto del Fabricante:

FDU6N25

Product Overview

Fabricante:

Fairchild Semiconductor

Número de pieza:

FDU6N25-DG

Descripción:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Descripción Detallada:
N-Channel 250 V 4.4A (Tc) 50W (Tc) Through Hole I-PAK

Inventario:

17372 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946463
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

FDU6N25 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
UniFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.1Ohm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
250 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I-PAK
Paquete / Caja
TO-251-3 Stub Leads, IPak

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
1,211
Otros nombres
2156-FDU6N25
FAIFSCFDU6N25

Clasificación Ambiental y de Exportación

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
Productos relacionados
fairchild-semiconductor

FDMS0346

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

fairchild-semiconductor

FCPF7N60YDTU

MOSFET N-CH 600V 7A TO220F-3

infineon-technologies

IPI45N06S4L08AKSA2

OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

FDMS8320LDC

N-CHANNEL DUAL COOLTM 56 POWER T