Número de Producto del Fabricante:
FDS6162N7
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FDS6162N7-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 23A 8SO
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 23A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventario:
15029 Pcs Nuevos Originales En Stock
12816873
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ENVIAR
FDS6162N7 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
23A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.5mOhm @ 23A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
73 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5521 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SO
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
150
Otros nombres
2156-FDS6162N7-FSTR-DG
FAIFSCFDS6162N7
2156-FDS6162N7
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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