FQAF17P10
Número de Producto del Fabricante:

FQAF17P10

Product Overview

Fabricante:

Fairchild Semiconductor

Número de pieza:

FQAF17P10-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 100V 12.4A TO3PF
Descripción Detallada:
P-Channel 100 V 12.4A (Tc) 56W (Tc) Through Hole TO-3PF

Inventario:

2972 Pcs Nuevos Originales En Stock
12816878
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FQAF17P10 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Tube
Serie
QFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12.4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
190mOhm @ 6.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1100 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
56W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3PF
Paquete / Caja
TO-3P-3 Full Pack

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
307
Otros nombres
2156-FQAF17P10-FS
FAIFSCFQAF17P10

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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