FDPF18N20FT-G
Número de Producto del Fabricante:

FDPF18N20FT-G

Product Overview

Fabricante:

Fairchild Semiconductor

Número de pieza:

FDPF18N20FT-G-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 200V 18A TO220F
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventario:

1246 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946430
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FDPF18N20FT-G Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
UniFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
18A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
140mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1180 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
35W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220F-3
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
FDPF18N20FT-G Datasheet

Información Adicional

Paquete Estándar
392
Otros nombres
ONSFSCFDPF18N20FT-G
2156-FDPF18N20FT-G

Clasificación Ambiental y de Exportación

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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