FDP7030BL
Número de Producto del Fabricante:

FDP7030BL

Product Overview

Fabricante:

Fairchild Semiconductor

Número de pieza:

FDP7030BL-DG

Descripción:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 60A (Ta) 60W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventario:

72127 Pcs Nuevos Originales En Stock
12947139
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

FDP7030BL Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
60A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
24 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1760 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
FDB7030BL, FDP7030BL

Información Adicional

Paquete Estándar
436
Otros nombres
2156-FDP7030BL
FAIFSCFDP7030BL

Clasificación Ambiental y de Exportación

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Productos relacionados
fairchild-semiconductor

FDP100N10

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

international-rectifier

IRF6641TRPBF

IRF6641 - 12V-300V N-CHANNEL POW

fairchild-semiconductor

FQU5N60CTU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

nxp-semiconductors

PSMN2R6-60PSQ

NOW NEXPERIA PSMN2R6-60PSQ - 150