Número de Producto del Fabricante:
PSMN2R6-60PSQ
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
Número de pieza:
PSMN2R6-60PSQ-DG
Descripción:
NOW NEXPERIA PSMN2R6-60PSQ - 150
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 150A (Tc) 326W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
304 Pcs Nuevos Originales En Stock
12947148
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ENVIAR
PSMN2R6-60PSQ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
150A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.6mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7629 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
326W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
190
Otros nombres
2156-PSMN2R6-60PSQ
NEXNXPPSMN2R6-60PSQ
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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