Número de Producto del Fabricante:
FDMS8027S
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FDMS8027S-DG
Descripción:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 18A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventario:
18985 Pcs Nuevos Originales En Stock
12947123
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ENVIAR
FDMS8027S Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
PowerTrench®, SyncFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
18A (Ta), 22A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1815 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 36W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
347
Otros nombres
2156-FDMS8027S
FAIFSCFDMS8027S
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
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