FCPF2250N80Z
Número de Producto del Fabricante:

FCPF2250N80Z

Product Overview

Fabricante:

Fairchild Semiconductor

Número de pieza:

FCPF2250N80Z-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 800V 2.6A TO220F
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 2.6A (Tc) 21.9W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventario:

360 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946729
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FCPF2250N80Z Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
SuperFET® II
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.25Ohm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 260µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
585 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
21.9W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220F-3
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
FCPF2250N80Z Datasheet

Información Adicional

Paquete Estándar
199
Otros nombres
2156-FCPF2250N80Z
FAIFSCFCPF2250N80Z

Clasificación Ambiental y de Exportación

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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