Número de Producto del Fabricante:
FCH25N60N
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FCH25N60N-DG
Descripción:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 216W (Tc) Through Hole TO-247
Inventario:
7298 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946169
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FCH25N60N Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
SupreMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
25A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
126mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3352 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
216W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247
Paquete / Caja
TO-247-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
80
Otros nombres
FAIFSCFCH25N60N
2156-FCH25N60N
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
Productos relacionados
BUK7E8R3-40E,127
75A, 40V, 0.0074OHM, N-CHANNEL M
FCPF11N60
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
2SK3615-E
2SK3615 - N-CHANNEL SILICON MOSF
