DMTH10H2M5STLW-13
Número de Producto del Fabricante:

DMTH10H2M5STLW-13

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

Número de pieza:

DMTH10H2M5STLW-13-DG

Descripción:

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 215A (Tc) 5.8W (Ta), 230.8W (Tc) Surface Mount POWERDI1012-8

Inventario:

13000668
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ENVIAR

DMTH10H2M5STLW-13 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
215A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
124.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
8450 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
5.8W (Ta), 230.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
POWERDI1012-8
Paquete / Caja
8-PowerSFN
Número de producto base
DMTH10

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
1,500
Otros nombres
31-DMTH10H2M5STLW-13CT
31-DMTH10H2M5STLW-13TR
31-DMTH10H2M5STLW-13DKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
DMTH10H2M5STLWQ-13
FABRICANTE
Diodes Incorporated
CANTIDAD DISPONIBLE
1132
NÚMERO DE PIEZA
DMTH10H2M5STLWQ-13-DG
PRECIO UNITARIO
2.04
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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