Número de Producto del Fabricante:
DMWSH120H90SM4Q
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMWSH120H90SM4Q-DG
Descripción:
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 40A (Tc) 235W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventario:
47 Pcs Nuevos Originales En Stock
13000679
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ENVIAR
DMWSH120H90SM4Q Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
40A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
15V
rds activados (máx.) @ id, vgs
97.5mOhm @ 20A, 15V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
47.6 nC @ 15 V
Vgs (máx.)
+19V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1112 pF @ 1000 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
235W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-4
Paquete / Caja
TO-247-4
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
31-DMWSH120H90SM4Q
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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