Número de Producto del Fabricante:
DMT10H032LFDF-7
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMT10H032LFDF-7-DG
Descripción:
MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 6A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Inventario:
12986357
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
DMT10H032LFDF-7 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
32mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
11.9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
683 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
U-DFN2020-6 (Type F)
Paquete / Caja
6-UDFN Exposed Pad
Número de producto base
DMT10
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
31-DMT10H032LFDF-7TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
PJA3436_R2_00001
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23
TSM043NH04CR RLG
40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
SQJA70EP-T1_BE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
