Número de Producto del Fabricante:
R6530KNX3C16
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
R6530KNX3C16-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 30A TO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 307W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
997 Pcs Nuevos Originales En Stock
12986395
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
R6530KNX3C16 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
30A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
140mOhm @ 14.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 960µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2350 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
307W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
R6530
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
846-R6530KNX3C16
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
BUK9Y13-60ELX
SINGLE N-CHANNEL 60 V, 7.9 MOHM
DMP3056LSSQ-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
NVMFWS016N10MCLT1G
PTNG 100V LL SO8FL
