Número de Producto del Fabricante:
CC-C2-B15-0322
Product Overview
Fabricante:
CoolCAD
Número de pieza:
CC-C2-B15-0322-DG
Descripción:
SiC Power MOSFET 1200V 12A
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 12A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-247
Inventario:
30 Pcs Nuevos Originales En Stock
13373452
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ENVIAR
CC-C2-B15-0322 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
-
Embalaje
Bulk
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
15V
rds activados (máx.) @ id, vgs
135mOhm @ 10A, 15V
vgs(th) (máx.) @ id
3.2V @ 5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
40 nC @ 15 V
Vgs (máx.)
+15V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1810 pF @ 200 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247
Paquete / Caja
TO-247-4
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
5
Otros nombres
3892-CC-C2-B15-0322
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
Certificación DIGI
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