Número de Producto del Fabricante:
TSM60NB1R4CH
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM60NB1R4CH-DG
Descripción:
600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 3A (Tc) 28.4W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventario:
13374221
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ENVIAR
TSM60NB1R4CH Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Embalaje
Tube
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 900mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
7.12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
257.3 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
28.4W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-251 (IPAK)
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
TSM60
Información Adicional
Paquete Estándar
15,000
Otros nombres
1801-TSM60NB1R4CH
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STU6N65M2
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
543
NÚMERO DE PIEZA
STU6N65M2-DG
PRECIO UNITARIO
0.44
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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