XP2N1K2EN1
Número de Producto del Fabricante:

XP2N1K2EN1

Product Overview

Fabricante:

YAGEO XSEMI

Número de pieza:

XP2N1K2EN1-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 20V 200MA SOT723
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SOT-723

Inventario:

1000 Pcs Nuevos Originales En Stock
13001041
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XP2N1K2EN1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
XP2N1K2E
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
200mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.2V, 2.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
0.7 nC @ 2.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
44 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
150mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-723
Paquete / Caja
SOT-723
Número de producto base
XP2N

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
XP2N1K2EN1 Datasheet

Información Adicional

Paquete Estándar
10,000
Otros nombres
5048-XP2N1K2EN1DKR
5048-XP2N1K2EN1TR
5048-XP2N1K2EN1CT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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