Inicio
Productos
Fabricantes
Acerca de DiGi
Contáctanos
Blogs y Publicaciones
Solicitud de Cotización/Cotización
Chile
Iniciar sesión
Idioma Selectivo
Idioma actual de tu elección
Chile
Cambiar:
Inglés
Europa
Reino Unido
Francia
España
Turquía
Moldavia
Lituania
Noruega
Alemania
Portugal
Eslovaquia
ltaly
Finlandia
Ruso
Bulgaria
Dinamarca
Estonia
Polonia
Ucrania
Eslovenia
Checo
Griego
Croacia
Israel
Serbia
Bielorrusia
Países Bajos
Suecia
Montenegro
Vasco
Islandia
Bosnia
Húngaro
Rumania
Austria
Bélgica
Irlanda
Asia / Pacífico
China
Vietnam
Indonesia
Tailandia
Laos
Filipino
Malasia
Corea
Japón
Hong-kong
Taiwán
Singapur
Pakistán
Arabia Saudí
Qatar
Kuwait
Camboya
Myanmar
África, India y Oriente Medio
Emiratos Árabes Unidos
Tayikistán
Madagascar
India
Irán
República Democrática del Congo
Sudáfrica
Egipto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marruecos
Túnez
América del Sur / Oceanía
Nueva Zelanda
Angola
Brasil
Mozambique
Perú
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
América del Norte
Estados Unidos
Haití
Canadá
Costa Rica
México
Acerca de DiGi
Sobre Nosotros
Sobre Nosotros
Nuestras Certificaciones
DiGi Introducción
Por qué DiGi
Política
Política de Calidad
Términos de uso
Cumplimiento con RoHS
Proceso de Devolución
Recursos
Categorías de Productos
Fabricantes
Blogs y Publicaciones
Servicios
Garantía de calidad
Método de Pago
Envío Global
Tarifas de Envío
Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
C3M0350120J-TR
Product Overview
Fabricante:
Wolfspeed, Inc.
Número de pieza:
C3M0350120J-TR-DG
Descripción:
SIC, MOSFET, 350M,1200V, TO-263-
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 7.2A (Tc) 40.8W (Tc) Surface Mount TO-263-7
Inventario:
Solicitud de Cotización en Línea
13005826
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
*
Empresa
*
Nombre de contacto
*
Teléfono
*
Correo electrónico
Dirección de entrega
Mensaje
(
*
) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
C3M0350120J-TR Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Wolfspeed
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
C3M™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7.2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
15V
rds activados (máx.) @ id, vgs
455mOhm @ 3.6A, 15V
vgs(th) (máx.) @ id
3.6V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
13 nC @ 15 V
Vgs (máx.)
+15V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
345 pF @ 1000 V
Disipación de potencia (máx.)
40.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263-7
Paquete / Caja
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Número de producto base
C3M0350120
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
C3M0350120J
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
1697-C3M0350120J-TRCT
1697-C3M0350120J-TR
1697-C3M0350120J-TRDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
GAN190-650FBEZ
650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
STW65N023M9-4
N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,
GSGA6R015
MOSFET, N-CH, SINGLE, 175A, 150V
PSMQC094N10NS2_R2_00201
100V/ 9.4M/ EXCELLECT LOW FOM MO