Número de Producto del Fabricante:
SQ2351ES-T1_GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SQ2351ES-T1_GE3-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 3.2A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventario:
16267 Pcs Nuevos Originales En Stock
13060859
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ENVIAR
SQ2351ES-T1_GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
115mOhm @ 2.4A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
5.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
330 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base
SQ2351
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SQ2351ES-T1_GE3CT
SQ2351ES-T1_GE3TR
SQ2351ES-T1_GE3DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SQ2351ES-T1_BE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
12238
NÚMERO DE PIEZA
SQ2351ES-T1_BE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.16
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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