Número de Producto del Fabricante:
SIHW47N60EF-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIHW47N60EF-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 47A (Tc) 379W (Tc) Through Hole TO-247AD
Inventario:
13008260
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SIHW47N60EF-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
-
Embalaje
Tube
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
47A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
65mOhm @ 24A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
225 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4854 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
379W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247AD
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
SIHW47
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STW56N60M2
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
31
NÚMERO DE PIEZA
STW56N60M2-DG
PRECIO UNITARIO
4.61
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
FCH072N60
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
39
NÚMERO DE PIEZA
FCH072N60-DG
PRECIO UNITARIO
4.53
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
FCH070N60E
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
473
NÚMERO DE PIEZA
FCH070N60E-DG
PRECIO UNITARIO
5.38
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
SIHD3N50DT4-GE3
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
SIR872ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
SQ2337ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
