SIHG22N60EL-GE3
Número de Producto del Fabricante:

SIHG22N60EL-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SIHG22N60EL-GE3-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247AC

Inventario:

13006930
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SIHG22N60EL-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
-
Embalaje
Tube
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
21A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
197mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1690 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
227W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247AC
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
SIHG22

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Certificación DIGI
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