Número de Producto del Fabricante:
SIHF35N60E-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIHF35N60E-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CHANNEL 600V 32A TO220
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 32A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Inventario:
13006350
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ENVIAR
SIHF35N60E-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
E
Embalaje
Tube
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
32A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
94mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
132 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2760 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
39W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220 Full Pack
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
SIHF35
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STF43N60DM2
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
911
NÚMERO DE PIEZA
STF43N60DM2-DG
PRECIO UNITARIO
2.82
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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